Инструкция к применению - Полупроводниковый материал SiGe

---

Описание

Все подразделения продаж компании «Чип и Дип» обслуживает единый распределительный центр - современный автоматизированный складской комплекс площадью 3000 кв.м. с обработкой до 40 000 наименований товара и отгрузкой в течение одних суток, а передовая система управления предприятием MBS AXAPTA, позволяет нам с высоким качеством обрабатывать большой поток заказов

На протяжении нескольких десятилетий кремний и германий были двумя основными конкурирующими материалами полупроводниковых технологий. В последние 20 лет их противостояние, казалось бы, завершилось победой кремния. Однако в 2005 году компания IBM объявила о запуске в серию транзисторов по кремниево-германиевому (SiGe) полупроводниковому процессу, в котором сырьем являлся соединение этих двух полупроводников. Работы по Кремниево-германиевой технологии были начаты компанией IBM в 1989 году и основной задачей было создание приборов для работы на высокой частоте. Кроме того в процессе исследований были открыты особые свойства кремниево-германиевого соединения: высокая надежность и живучесть за счет малой температурной зависимости;• низкая стоимость, сравнимая со стоимостью кремния;• широкий частотный диапазон до 110 ГГц;• низкий уровень шума;• низкое энергопотребление;• возможность комбинации с обычнымиCMOS схемами на одной и той же кремниевой подложке.SiGe-технологии позволяют еще больше миниатюризировать полупроводниковые системы за счет очень высокой интеграционной плотности и создавать однокристальные решения для целой системы. Одним из важнейших направлений, в которых используются эти технологии, является создание быстродействующих систем беспроводной передачи данных. Чипсет mmWave с расчетной рабочей частотой 60ГГц созданный по кремний-германиевой технологии в 2007 году быстрее Wi-Fi в 100 раз.

---

Комментарии 0

Отправить

---

Интересные статьи партнеров