для чего это нужно/Отличительные особенности - Кремний на изоляторе
Описание
Продолжительность: 01:58
Интереснейшие видео материалы для начинающих электронщиков и состоявшихся профессионалов своего дела
В настоящее время существует целый ряд технологий, позволяющих заметно увеличить скорость работы полупроводниковых приборов, и столько же заметно уменьшить размер чипа без перехода на более тонкий технологический процесс. Одной из технологий, позволяющих достаточно безболезненно повысить скорость чипов является технология - кремний на изоляторе. Кремний на изоляторе — это технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Подложка, выполненная по технологии кремний на изоляторе, представляет собой трёхслойный пакет, который состоит из монолитной кремниевой пластины, диэлектрика и размещённого на нём тонкого поверхностного слоя кремния. В качестве диэлектрика может выступать диоксид кремния или, гораздо реже, сапфир, в этом случае технология называется "кремний на сапфире". Дальнейшее производство полупроводниковых приборов с использованием полученной подложки по своей сути практически ничем не отличается от классической технологии, где в качестве подложки используется монолитная кремниевая пластина. Основное преимущество такой технологии состоит в том, что за счёт тонкости поверхностного слоя и изоляции транзистора от кремниевого основания, удаётся многократно снизить паразитную ёмкость и существенного повысить быстродействие микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности. Так, например, максимальная ...
