История создания советского транзистора

---

Описание

Предпосылки к появлению полупроводникового прибора предназначенного для замены усилительных и генераторных радиоламп бытовали в научной среде не позднее середины 30тых годов, когда с одной стороны, были повсеместно изучены и в небольших количествах внедрены усилительные приборы на основе генерирующих диодов Лосева, а с другой стороны была создана теория выпрямления тока в контактном слое металл-полупроводник в которой рассматривался и туннельный эффект. Параллельно с открытиями советских исследователей достигли успехов и немецкие ученые. Так 1928 Юлиус Эдгар Лилиенфельд запатентовал принципы работы полевого транзистора, хотя конечно, говорить о стабильности его характеристик или их техническом совершенстве в то время было ещё рано. В 1936-38 гг. знаменитый физик Роберт Вихард Поль (основоположник современной физики твёрдого тела), совместно с Р. Хильшем, создали реально работавший прототип транзистора -- полупроводниковый усилитель, основанный на кристаллах бромида галлия (опубликовано в Zeitschrift Physik, III (1938)). Однако в связи с началом Второй Мировой Войны большинство работ по твёрдотелым усилителям было свернуто, и получило дальнейшее развитее не ранее 1944 года. При этом одним из затруднений, повлиявших на время разработки советского полупроводникового триода, было отсутствие кристаллов достаточной частоты, в результате чего для экспериментов использовались полупроводники от трофейных детекторов. Одним из первых успешных результатов в области разработки ...

---

Комментарии 0

Отправить

---

Интересные статьи партнеров