Сегнетоэлектрические запоминающий устройства

---

Описание

В настоящее время можно наблюдать возросший интерес разработчиков аппаратуры к запоминающим устройствам (ЗУ) на основе сегнетоэлектрических материалов. Под "ферроэлектрической памятью" понимаются энергонезависимые сегнетоэлектрические ЗУ с произвольной выборкой (FRAM -- Ferroelectric RAM).Основным материалом для элементов FRAM -- сегнетоэлектрических транзисторов (ferroelectric transistor) и конденсаторов (ferroelectric capacitor) -- являются смешанные полиметаллические оксиды, спекаемые в сегнетоактивные керамики. В микросхемах, предназначенных для использования в аппаратуре специального назначения, можно рекомендовать использование ячеек памяти с двумя сегнетоэлектрическими элементами. У данного типа памяти элементарная ячейка представляет собой сдвоенные ячейки 1T-1C типа. Ячейка такого типа, в которой каждому биту соответствует индивидуальный опорный бит, позволяет определять разницу зарядов с высокой точностью. А благодаря считыванию дифференциального сигнала ячейки исключается влияние разброса параметров конденсаторов ячеек. В данной конструкции ячейка 2T-2C подключена к управляющей линии (словарная шина) и линии управления поляризацией (общая шина), но линия данных разделена на две раздельные линии (разрядная и дополнительная разрядная шины), соответственно запись-чтение на сегнетоэлектрические конденсаторы производится раздельно. Данные, записываемые в эти два конденсатора, дублируются, что приводит к увеличению надежности хранения данных. Помимо конденсаторов ...

---

Комментарии 0

Отправить

---

Интересные статьи партнеров