Продам BTS1M-TDTD-P Фотоэлектрический датчик, на просвет, расст.сраб. 1м,12-24В=, на затемнение, выход PNP Autonics в Москве



BTS1M-TDTD-P Фотоэлектрический датчик, на просвет, расст.сраб. 1м,12-24В=, на затемнение, выход PNP Autonics
Цена договорная
В наличии
Москва (Россия)
Состояние: Новый
Контакты
elctore
Александр 380info@mail.ru

+7(909)-166-69-00

ООО «СВ Групп»

Россия, Москва и Московская обл., Москва, ул.Комсомольская, д. 15а, эт.3 оф 2а


Детальное описание

BTS1M-TDTD-P Фотоэлектрический датчик Autonics

Ультракомпактные, ультратонкие фотоэлектрические датчики серии BTS идеально подходят для установки в ограниченных пространствах. Ширина датчиков составляет всего 7.2 мм вместе с встроенными усилителями, и они способны обнаруживать мелкие объекты, включая металлические провода и полупроводниковые чипы. Серия BTS имеет степень защиты IP67, а также крепления, что позволяет им длительно и надежно работать в различных средах.

Отличительные особенности датчиков серии BTS:
 Ультратонкие (ширина всего 7.2 мм) 
- 7.2 (Ш) x 18.6 (В) x 9.5 (Д) мм (на пересечении луча) 
- 7.2 (Ш) x 24.6 (В) x 10.8 (Д) мм (отражение от рефлектора, конвергентный отражательный тип)
Типы срабатывания и минимальный размер определяемого объекта 
- На пересечении луча (BTS1M): Ø2 мм 
- Отражение от рефлектора (BTS200): Ø2 мм (на расстоянии 100 мм) 
- Конвергентный отражательный тип (BTS15/BTS30): Ø0.15 мм (на расстоянии 10 мм)
Индикатор стабильности (зеленый светодиод) и индикатор срабатывания (красный светодиод)
Крепление из нержавеющей стали (SUS304)
Степень защиты IP67 (стандарт IEC)

Технические характеристики BTS1M-TDTD-P:
Расстояние срабатывания 1 м
Объект Непрозрачный, не более Ø2 мм
Мин. размер объекта Непрозрачный, не более Ø2 мм
Гистерезис -
Время срабатывания Не боле 1 мс
Напряжение питания 12 - 24 В= ±10 % (пульсация двойной амплитуды не более 10 %)
Потребляемый ток Не более 20 мА (потребление каждого излучателя и приемника с типом срабатывания на пересечении луча)
Источник освещения Красный светодиод (650 нм)
Режим работы На затемнение
Выход управления
• Напряжение нагрузки не более 26.4 В= 
• Ток нагрузки не более 50 мА 
• Остаточное напряжение: NPN - не более 1 В; PNP - не более 2 В
Электрическая защита Защита от переполюсовки и короткого замыкания выходной цепи
Индикатор Индикатор срабатывания (красный), индикатор стабильности (зеленый)
Соединение Кабель
Сопротивление изоляции Не менее 20 МОм (при 500 В= по мегомметру)
Помехоустойчивость Шум прямоугольной формы ± 240 В (ширина импульса 1 мкс) от имитатора шума
Диэлектрическая прочность 1,000 В~, 50/60 Гц в течение 1 мин.
Вибрация амплитуда 1.5 мм при частоте от 10 до 55 Гц по каждой из осей X, Y, Z в течение 2 часов
Удар 500 м/с² (примерно 50G) по каждой из осей X, Y, Z 3 раза
Условия хранения и эксплуатации
Внешняя засветка Солнечный свет: не более 10 000 лк, 
Лампа накаливания: не более 3 000 лк (засветка приемника)
Температура окружающей среды от- 20 до 55℃, хранение: от - 30 до 70℃
Влажность от 35 до 85 % относительной влажности, хранение: от 35 до 85% относительной влажности
Степень защиты IP67 (стандарты МЭК)
Материалы Корпус: полибутилентерефталат, чувствительная часть: плексиглас (ПММА), крепление: SUS304, болт: SWCH10A
Кабель ø2.5 мм, 3 жилы, 2 м (излучатель модели на пересечении луча: ø2.5 мм, 2 жилы, 2 м)
(AWG 28, диаметр жилы: 0.08 мм, число проводкой в жиле: 19, наружный диаметр изолятора: ø0.9 мм)
Купить BTS1M-TDTD-P Фотоэлектрический датчик, на просвет, расст.сраб. 1м,12-24В=, на затемнение, выход PNP Autonics в Москве

Создано 27.05.2018 Изменено 28.10.2019

Фотоэлектрический датчик

Похожие объявления


Вы недавно смотрели